特許

J-GLOBAL ID：200903020004341054

薄膜形成装置及び薄膜形成方法

発明者： 小林 孝 ,  飯島 晋平
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-108125
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321046
出願日： 1994年05月23日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：

【要約】【目的】スループットの低下や装置コストの増大なくSi自然酸化膜の成長を抑制し、低温で高品質のSi膜や薄いキャパシタ絶縁膜が形成可能なLPCVD装置及び薄膜形成方法を提供する。【構成】ロードロック型枚葉LPCVD装置の成膜室103にウェハのクリーニング用紫外線ランプ107と加熱用赤外線ランプ106を装着する。試料基板を成膜室に搬送した後、まず、紫外線ランプを照射しながらO3 ガスを導入してウエーハ表面の有機物を除去する。続いて紫外線ランプを照射しながらH2とF2を含む混合ガスを導入し、Si自然酸化膜を除去する。その後、紫外線の照射を停止し、赤外線ランプの出力を増大して基板温度を上昇し、Si膜や酸化タンタル膜等の薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

同一反応室に赤外線及び紫外線を照射する機構を具備したことを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (7件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/68 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (2件)：

H01L 21/26 Z ,  H01L 27/10 325 J