特許

J-GLOBAL ID：200903020010558847

EPROMおよびフラッシュEEPROM不揮発性メモリの製造方法並びに不揮発性メモリ

発明者： ロレンツォ フラティン ,  レオナルド ラバッツィ ,  カルロ リヴァ
出願人/特許権者： エスジェエス-トムソン ミクロエレクトロニクス エスアールエル
代理人 (1件)： 山本 恵一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-197943
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316346
出願日： 1995年07月12日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【課題】 N+ タイプのソース領域(24)とP- タイプの基板(4)に埋め込まれたPポケット(26、16)に囲まれたドレイン領域(12)を備えたセル(31)を有する不揮発性メモリ(40)を開示する。【解決手段】 ドレインおよびソースPポケット(16、26)は、セルの大きさを改善しスナップバック電圧の悪化を避けるため、注入エネルギーと量を最適にするようにされた二つの異なる高角度ホウ素注入段階で形成されている。これにより形成されたセル(31)は周知のセルと比較して高い降伏電圧を示している。

請求項（抜粋）：

一番目のタイプのドレイン領域とソース領域を有し、前記ドレイン領域とソース領域から離れたチャネル領域を形成する反対のタイプの二番目の導電率の基板内に埋め込まれたメモリセルを備え、一番目の注入パラメータを使用し、前記反対のタイプの二番目の導電率の一番目のドーピング剤を高角度で注入する段階を備え、チャネル領域に向かいドレイン領域を囲んでいる前記反対のタイプの二番目の導電率のドレインポケットを形成し、前記一番目の注入パラメータと異なる二番目の注入パラメータを使用し、前記反対のタイプの二番目の導電率の二番目のドーピング剤を高角度で注入する段階を備え、前記のソース領域を囲んでいる前記反対のタイプの導電率のソースポケットを形成している、ことを特徴とするEPROMおよびフラッシュEEPROMの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-211178