特許

J-GLOBAL ID：200903020011690161

不揮発性半導体メモリ

発明者： 杉浦 義久 ,  鈴木 隆
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (7件)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  坪井 淳 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  河井 将次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-167314
公開番号（公開出願番号）：特開2004-014043
出願日： 2002年06月07日
公開日（公表日）： 2004年01月15日
要約：

【課題】NAND型フラッシュメモリにおいて、書き換え回数をメモリセルと同様の記憶素子にアナログ的に記憶し、少ない回路数で書き換え制御を行う。【解決手段】複数に分割されたメモリセルアレイ10と、複数のメモリセルアレイのうちで非選択アレイ中の一部に割り当てられた書き換え回数記憶領域10のセルトランジスタに対して通常の書き込みよりも弱い電界で書き込みを行い、セルトランジスタの浮遊ゲートへの電子の注入量によってセルトランジスタの閾値をアナログ的に変動させることによって書き換え回数を記憶させる書き換え回数書き込み制御回路とを具備する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

複数に分割されたメモリセルアレイと、 前記複数のメモリセルアレイのうちで非選択アレイ中の一部に割り当てられた書き換え回数記憶領域のセルトランジスタに対して通常の書き込みよりも弱い電界で書き込みを行い、セルトランジスタの浮遊ゲートへの電子の注入量によってセルトランジスタの閾値をアナログ的に変動させることによって書き換え回数を記憶させる書き換え回数書き込み制御回路 とを具備することを特徴とする不揮発性半導体メモリ。

IPC (2件)：

G11C16/02 ,  G11C16/06

FI (3件)：

G11C17/00 601B ,  G11C17/00 611E ,  G11C17/00 634Z

Fターム (5件)：

5B025AA01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AE01 ,  5B025AE08