特許

J-GLOBAL ID：200903020017484156

InP系化合物半導体の加工方法

発明者： 岩崎 孝
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-014831
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211692
出願日： 1994年01月12日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：

【要約】【目的】 InP系の発光素子、受光素子の微細加工において結晶を損なわないようにメサエッチング、埋め込み再成長させる方法を提供すること。【構成】 InP及びInとAsを含むIII -V族化合物半導体薄膜の表面状に部分的に保護膜を設け、三塩化砒素を熱分解したガスにより保護膜のない部分をエッチング除去し、除去された部分に化合物半導体結晶を再成長する。

請求項（抜粋）：

InP及びInとAsを含むIII -V族化合物半導体薄膜の表面上に部分的に保護膜を設け、三塩化砒素を熱分解したガスにより保護膜のない部分をエッチング除去し、除去された部分に化合物半導体結晶を再成長することを特徴とするInP系化合物半導体の加工方法。

IPC (6件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/308 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18 ,  H01L 31/10

FI (3件)：

H01L 21/302 P ,  H01L 21/306 S ,  H01L 31/10 A