特許
J-GLOBAL ID：200903020017888214
半導体装置のパツシベーシヨン膜形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-156554
公開番号（公開出願番号）：特開平5-006886
出願日： 1991年06月27日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：
【要約】【目的】 プラズマCVD法を用いて半導体装置の表面に耐水性と耐クラック性にすぐれたパッシベーション膜を形成する方法を提供する。【構成】 Si基板11にAl配線12を形成したウェーハ6の表面にまず薄いSiN 膜13を保護膜として成膜し、ついでに屈折率の大きなプラズマSiO2膜14を1000Å程度堆積し、これらの操作を複数回繰り返して多層のバッファ膜15を形成し、その上に所望の膜厚を有するSiN 膜を堆積してパッシベーション膜16を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体装置の表面にプラズマCVD法を用いてパッシベーション膜を形成するに際し、前記半導体装置表面に SiN膜を保護膜として成膜する工程と、このSiN 膜の上にプラズマSiO2膜を堆積する工程と、上記2つの工程を複数回繰り返して多層のバッファ層を形成する工程と、このバッファ層の上に所望の膜厚の SiN膜を堆積してパッシベーション膜を形成する工程と、からなることを特徴とする半導体装置のパッシベーション膜形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316
, H01L 21/31
, H01L 21/318
