特許

J-GLOBAL ID：200903020018354477

強誘電体薄膜の製造方法

発明者： 小笠原 悟
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-205434
公開番号（公開出願番号）：特開平8-067599
出願日： 1994年08月30日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：

【要約】【目的】 結晶の配向性が良好で、信頼性の高い強誘電体薄膜を得ること。【構成】 繰り返し塗布するPb系有機金属アルコール溶液のうち、最初に塗布した溶液を高温加熱してペロブスカイト構造とすることにより、この構造が、基板の配向性を受け継ぎ、その後に、塗布した溶液をペロブスカイト構造とする際に、最初のペロブスカイト構造がシードとなって、配向性を引き継ぎ易くなる。また、最初に塗布するPb系有機金属アルコール溶液中のPbの割合を、少なくとも最後に塗布するものよりも高くしておくことにより、最初に塗布した溶液が良好にペロブスカイト構造の結晶となり、この構造が、基板の配向性を受け継ぎ、その後に、塗布した溶液をペロブスカイト構造とする際に、最初のペロブスカイト構造がシードとなって、配向性を引き継ぎ易くなる。

請求項（抜粋）：

原料溶液がペロブスカイト構造になりやすい条件で、基板上に強誘電体薄膜を形成したことを特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。

IPC (5件)：

C30B 29/22 ,  C04B 35/49 ,  H01G 4/33 ,  H01L 37/02 ,  H01L 41/24

FI (3件)：

C04B 35/49 A ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 41/22 A