特許
J-GLOBAL ID：200903020023321226
半導体中の元素濃度の測定および制御方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青木 朗 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-199457
公開番号（公開出願番号）：特開平5-040087
出願日： 1991年08月08日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：
【要約】【目的】 半導体中の元素濃度プロファイルの測定方法に関し、短時間で測定し、さらに薄膜成長を in situで制御することを目的とする。【構成】 エリプソメトリによって、半導体の光学情報を測定し、あらかじめ蓄積した光学情報/組成データのデータベースに参照して、元素濃度プロファイルに変換し、これによって不純物濃度プロファイルを求めるように構成し、また薄膜を成長中の二成分系半導体の組成プロファイルを刻々求めて、これを成長条件にフィードバックさせるように構成する。
請求項（抜粋）：
(a)可視光分光エリプソメトリまたは赤外線エリプソメトリによって、基板上に成長中の二成分系薄膜を含む半導体の光学情報Δ,Ψを刻々測定し、(b)この光学情報を、直前に測定した時までの集積薄膜の深さ組成情報と、組成と光学定数(複素屈折率nまたは複素誘電率ε)の関係を示すデータベースに参照し、単位薄膜層の組成と膜厚をパラメータにコンピュータフィッティングすることにより、単位薄膜層の組成データおよび膜厚データを得、(c)これを蓄積して薄膜全体の深さと組成の関係を求めて測定時までの組成プロファイルを刻々得、(d)この組成プロファイルを、設計の組成プロファイルにフィッティングさせてその差を求め、薄膜成長条件にフィードバックさせて薄膜成長を刻々制御することを特徴とする半導体の二成分系薄膜成長の制御方法。
IPC (3件)：
G01N 21/21
, G01N 21/35
, H01L 21/66
