特許
J-GLOBAL ID：200903020030558800
超電導接合を有する素子およびその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
越場 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-069512
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267736
出願日： 1992年02月19日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【構成】 一部にc軸配向のY1Ba2Cu3O7-X薄膜2を形成した上記のMgO(100)基板3上に、a軸配向の薄膜が成長する条件でY1Ba2Cu3O7-X酸化物超電導薄膜1を成長させる。Y1Ba2Cu3O7-X酸化物超電導薄膜1の直接MgO(100)基板3上に成長した部分11はa軸配向になり、c軸配向のY1Ba2Cu3O7-X薄膜2上に成長した部分12はc軸配向になり、結晶粒界4が障壁の超電導接合になる。【効果】 微細加工せずに弱結合型の超電導接合が容易に作製できる。
請求項（抜粋）：
c軸配向の酸化物超電導体と類似の結晶構造を有する材料の薄膜が成膜面の一部に形成されている基板上に、複数の箇所で前記成膜面から前記薄膜にかかるよう形成され、前記成膜面上の部分がa軸配向の酸化物超電導体結晶で、前記薄膜上の部分がc軸配向の酸化物超電導体結晶でそれぞれ構成され、前記成膜面上の部分のa軸配向の酸化物超電導体結晶と前記薄膜上の部分のc軸配向の酸化物超電導体結晶との結晶粒界が障壁となっている酸化物超電導薄膜で構成されていることを特徴とする超電導素子。
IPC (3件)：
H01L 39/24 ZAA
, G01R 33/035 ZAA
, H01L 39/22 ZAA
