特許
J-GLOBAL ID：200903020034509154
誘電体分離基板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-333007
公開番号（公開出願番号）：特開平9-172065
出願日： 1995年12月21日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：
【要約】【課題】 反りが小さい誘電体分離基板を提供する。【解決手段】 誘電体分離基板1は、気相成長(CVD)法により堆積されたポリシリコン層2aと、ポリシリコン層2aよりも結晶の粒径(グレイン)が小さいポリシリコン層2bとから成るポリシリコン基板において、ポリシリコン層2bの表面に、側面及び底面がシリコン酸化膜3で覆われ、各々電気的に絶縁された単結晶シリコンから成る単結晶シリコン島4が所望のパターンで配置されている。従って、ポリシリコン層2aのグレインを、ポリシリコン層2bのグレインより大きくしたので、結晶粒界(グレインバウンダリー)が少なくなり、グレイン同士の合体によるポリシリコン層2aの収縮、及び酸化工程における酸素の拡散によるポリシリコン層2aの膨張を防止することができ、誘電体分離基板1の反りを小さくできる。
請求項（抜粋）：
多結晶半導体層と、該多結晶半導体層上に誘電体層を介して形成された単結晶半導体層とから成る誘電体分離基板において、前記多結晶半導体層を基板の厚み方向に2層に分離して構成するとともに、前記2層の内、前記単結晶半導体層側の層を第1の多結晶半導体層とし、他方を第2の多結晶半導体層として、該第2の多結晶半導体層の結晶粒径を前記第1の多結晶半導体層の結晶粒径よりも大きくしたことを特徴とする誘電体分離基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/76 D
, H01L 23/14 S
