特許

J-GLOBAL ID：200903020036316841

二酸化珪素を含有する二酸化チタン薄膜及びその製造方法

発明者： 西井 準治 ,  アディルソン オリベイラ ダ シルバ ,  デリク エー. エイチ. カニンガム ,  井上 貴博
出願人/特許権者： 工業技術院長
代理人 (1件)： 工業技術院大阪工業技術研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-375068
公開番号（公開出願番号）：特開2000-086226
出願日： 1998年12月10日
公開日（公表日）： 2000年03月28日
要約：

【要約】【課題】高温でも安定なアナターゼを、熱処理により容易に析出させることができる薄膜及びその製造方法を提供する。【解決手段】TiO2及びSiO2を含有することを特徴とする薄膜;高周波スパッタ法においてSiO2及びTiO2を同時にスパッタすることを特徴とする該薄膜の製造方法;並びに該薄膜を200〜1200°Cにおいて熱処理することを特徴とするアナターゼの生成方法。

請求項（抜粋）：

TiO2及びSiO2を含有することを特徴とする薄膜。

IPC (5件)：

C01B 33/12 ,  B01D 53/86 ,  C01G 23/00 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/40

FI (5件)：

C01B 33/12 A ,  C01G 23/00 Z ,  C23C 14/08 K ,  C23C 14/40 ,  B01D 53/36 J