特許

J-GLOBAL ID：200903020037945540

磁気抵抗素子

発明者： 佐久間 昭正
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-097118
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294854
出願日： 1999年04月05日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【課題】 本発明の目的は、従来のグラニュラー型トンネル磁気抵抗材料よりも大きな磁気抵抗変化率を有する磁気抵抗素子を提供することにある。【解決手段】 磁性粒子が絶縁体相中に分散した構造を有するグラニュラー型トンネル磁気抵抗材料において、前記磁性粒子がルチル型結晶構造であることを特徴とする磁気抵抗素子を用いる。

請求項（抜粋）：

磁性粒子が絶縁体相中に分散した構造を有するグラニュラー型トンネル磁気抵抗材料において、前記磁性粒子がルチル型結晶構造であることを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (5件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08 ,  H01L 43/10

FI (5件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08 A ,  H01L 43/10 ,  G01R 33/06 R

Fターム (14件)：

2G017AA01 ,  2G017AD55 ,  2G017AD59 ,  2G017AD62 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  5D034BA02 ,  5E049AB09 ,  5E049AB10 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049CB01