集束ビーム装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-146006
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017385
出願日： 1994年06月28日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】本発明は、半導体製造工程で使用されるマスクの修正や配線修正などに用いられる集束イオンビーム装置に関し、その目的は、真空中でパターン膜形成位置、またはガスアシストエッチングする位置にガスを効率的に供給し、加工や堆積を効率的に行うことにある。【構成】全体の構成は、イオン源(イオン源1,シールド電極2,ガンアハーチャ3),イオン集束系(集束レンズ4,アパーチャ5,走査電極6,対物レンズ7),ガス供給系(ノズル8,ヒータ9,容器10,ガス源11,バルブ12,微動装置13,バルブつまみ14),試料微動装置16,試料18,検出器15等から構成されている。

請求項（抜粋）：

集束ビーム装置を用いてビーム支援エッチングまたはビーム支援堆積を行うことが可能な装置において、ビームの中心に配置した小孔の両端からガスを流出させ、上記小孔の一端に加工物を配置し、小孔を貫通するビームにより処理を行うことを特徴とする集束ビーム装置。

前のページに戻る