特許

J-GLOBAL ID：200903020044819313

高誘電体キャパシタ及び半導体装置

発明者： 植木 一彦
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-189260
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041481
出願日： 1996年07月18日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】【課題】上部電極と下部電極の間に酸化物高誘電体膜が挟まれてなる高誘電体キャパシタに関し、下部電極の低抵抗化を図る。【解決手段】上部電極21aと下部電極25の間に酸化物高誘電体膜20aが挟まれてなる高誘電体キャパシタにおいて、下部電極25は、酸化物高誘電体膜20aに接する耐酸化性金属膜19aと低抵抗金属膜16aとを含んでなる。

請求項（抜粋）：

上部電極と下部電極の間に酸化物高誘電体膜が挟まれてなるキャパシタにおいて、前記下部電極は、前記酸化物高誘電体膜に接する耐酸化性金属膜と低抵抗金属膜とを含んでなることを特徴とする高誘電体キャパシタ。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/04 C