特許
J-GLOBAL ID:200903020045075474
分子電子装置の形成方法及びその構造
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
大野 聖二
, 森田 耕司
, 田中 玲子
, 山田 勇毅
, 北野 健
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-551932
公開番号(公開出願番号):特表2007-526599
出願日: 2005年02月07日
公開日(公表日): 2007年09月13日
要約:
本発明は、インクジェット印刷のような液滴蒸着技術によって、分子電子装置、特に、有機発光ダイオード(OLED)のような有機電子装置を作成する方法に関する。本発明は、また、そのような方法によって作成された分子電子装置基板にも関係する。本発明の方法は、分子材料を蒸着するためのウェルを規定する複数のバンクを有する基板を形成し、及び 前記装置を形成するために、液滴蒸着技術を用いて、前記ウェル内に溶媒に溶解した分子電子材料を含む組成物を蒸着する工程を含み、ここで、前記バンクは前記ウェルの端部を形成する面(バンク面)を有し、前記バンク面の前記ウェルの底面に対する角度は前記組成物の前記バンク面に角度より大きく、ここで、前記ウェルの前記底面上の前記バンクの高さは2μm以下、好ましくは、1.5μm以下である分子電子装置を作成する方法を提供する。【選択図】図6a
請求項(抜粋):
次の工程を含む分子電子装置を作成する方法であって、
分子材料を蒸着するためのウェルを規定する複数のバンクを有する基板を形成し、及び
前記装置を形成するために、液滴蒸着技術を用いて、前記ウェル内に溶媒に溶解した分子電子材料を含む組成物を蒸着する工程を含み、
ここで、前記バンクは前記ウェルの端部を形成する面(バンク面)を有し、前記バンク面の前記ウェルの底面に対する角度は前記組成物の前記バンク面に対する角度より大きく、
ここで、前記ウェルの前記底面上の前記バンクの高さは2μm以下、好ましくは、1.5μm以下である分子電子装置を作成する方法。
IPC (5件):
H05B 33/10
, G02B 5/20
, H05B 33/12
, H01L 51/50
, H05B 33/22
FI (5件):
H05B33/10
, G02B5/20 101
, H05B33/12 B
, H05B33/14 A
, H05B33/22 Z
Fターム (15件):
2H048BA11
, 2H048BA55
, 2H048BA64
, 2H048BB24
, 2H048BB42
, 3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107CC33
, 3K107CC45
, 3K107DD89
, 3K107DD97
, 3K107FF15
, 3K107GG08
, 3K107GG11
, 3K107GG24
引用特許:
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