特許
J-GLOBAL ID：200903020045173263
静電チャックの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-149968
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326824
出願日： 1997年05月26日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：
【要約】【課題】 プラズマ溶射法ではプラズマにより銅成分が飛散し、誘電体層にそれが入り込んで半導体の作製に悪影響を与え、焼き付けでは高温で行う必要があるため、工程が複雑でコストが高くなるという欠点があった。【解決手段】 セラミックス基板表面に電極を形成し、その上面に誘電体層を形成する静電チャックの製造方法において、該電極の形成方法が、活性化処理したセラミックス基板表面に無電解メッキ法で銅を形成する方法であり、該誘電体層の形成方法が、導電性粒子を分散させた有機樹脂を印刷法あるいはスピンコーター法で形成する方法であり、かつ、有機樹脂への導電性粒子の混入割合を調節することにより、該誘電体層のリーク電流を1〜0.05μAとすることとした静電チャックの製造方法。
請求項（抜粋）：
セラミックス基板表面に電極を形成し、その上面に誘電体層を形成する静電チャックの製造方法において、該電極の形成方法が、活性化処理したセラミックス基板表面に無電解メッキ法で銅を形成する方法であり、該誘電体層の形成方法が、導電性粒子を分散させた有機樹脂を印刷法あるいはスピンコーター法で形成する方法であり、かつ、有機樹脂への導電性粒子の混入割合を調節することにより、該誘電体層のリーク電流を1〜0.05μAとすることを特徴とする静電チャックの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/68
, B23Q 3/15
, B25J 15/06
, H02N 13/00
H01L 21/68 R
, B23Q 3/15 D
, B25J 15/06 S
, H02N 13/00 D
