特許
J-GLOBAL ID：200903020049456189
発光ダイオード及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-050631
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263746
出願日： 1994年03月22日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】 サイズや材料種による制限を受けず、より発光輝度の高い発光ダイオード及びその製造方法を提供する。【構成】 発光ダイオード10は、n型基板12の主面、即ち光取り出し面12a及び側面12c,12c,...に沿って、n型半導体層13N及びp型半導体層13Pよりなる発光領域(発光層)13が形成された構造をしている。そして、光取り出し面12aの外周部に沿って第1のオーミック電極14Aが形成されており、一方、基板12の裏面12bに第2のオーミック電極14Bが形成されている。その製造にあたっては、半導体基板120(12)の主面120aに溝110を格子状に形成し、その上全面にn型半導体層13N及びp型半導体層13Pを順次エピタキシャル成長させ、第1の電極14A及び第2の電極14Bを形成した後、溝110に沿って基板12を割り、各素子を得る。【効果】 発光面積が大きくなり、従来よりも高い発光輝度が得られる。
請求項（抜粋）：
光取り出し面と、該光取り出し面以外の少なくとも一面に沿って、発光領域が形成されていることを特徴とする発光ダイオード。
引用特許：
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