特許
J-GLOBAL ID：200903020052875958
マスク、パターン寸法制御方法およびパターン寸法制御装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-057520
公開番号（公開出願番号）：特開2004-264779
出願日： 2003年03月04日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：
【課題】光透過パターンの透過率を制御することによって転写パターンの寸法を制御可能なマスク、パターン寸法制御方法およびパターン寸法制御装置を提供する。【解決手段】有機物雰囲気下にあるチャンバ2に収容されたマスク1に対し、遠紫外線ランプ5および遮光板6の作用により遠紫外線を局所的に照射して、マスク1の遮光パターン12が形成された面とは反対側の面上に、有機物を局所的に堆積させて、露光波長に対する透過率をショット内で自由に制御する。これにより、ウエハに転写される転写パターンの線幅均一性を向上させる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
光透過パターンを有し、前記光透過パターンを通過した光により被露光体に前記光透過パターンに相似な転写パターンが転写されるマスクであって、
前記光透過パターンの透過率が局所的に低下され、前記転写パターンの寸法が制御されている
マスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F1/08 A
, H01L21/30 502P
