不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：瀧野秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-245331
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106443
出願日： 1993年09月30日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】【目的】高速性能を有する不揮発性半導体記憶装置及びその製造工程を提供することを目的とする。【構成】半導体基板10に不純物を含むポリシリコン層15a,15bを固相拡散源とし、ソース及びドレイン拡散層17S,17D を形成し、ポリシリコン層15a,15bの半導体基板面に熱酸化膜18を形成すると共に、ソース及びドレイン拡散層17S,17D 間の半導体基板10面にトンネル酸化膜18T を形成し、熱酸化膜18とトンネル酸化膜18T を覆うように浮遊ゲート19が形成されたものであり、ポリシリコン層15a,15bを抵抗値の低いビット線或いはソース線として用いて高速性能を向上させた不揮発性半導体記憶装置である。

請求項（抜粋）：

浮遊ゲート型の不揮発性半導体記憶装置に於いて、固相拡散源によってソース又はドレイン拡散層を形成すると共に、ソース線又はビット線方向に連続する該固相拡散源をソース線又はビット線として用いることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

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