特許

J-GLOBAL ID：200903020056485291

半導体装置及びその製造方法

発明者： 佐藤 文彦
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-323513
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183310
出願日： 1993年12月22日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：

【要約】【目的】 真性ベースを選択エピタキシャルで形成するバイポーラトランジスタにおいてベース/コレクタ間寄生容量を低減させる。【構成】 ベース電極用単結晶シリコン膜33と、コレクタ用エピタキシャル層3とが、露出している状態で選択的にエピタキシャル成長させる。この時、真性ベース8と外部ベース34とがともに単結晶のかたちで成長して自己整合型バイポーラトランジスタが作成される。

請求項（抜粋）：

第1の導電型の単結晶半導体基板の表面に設けられた第1の絶縁膜に選択的に第1の開口が形成され、該第1の絶縁膜上に第2の導電型の第1の単結晶半導体膜が設けられ、かつ該第1の単結晶半導体膜は前記第1の開口の全周囲から所定の長さで開口部内へ延びる水平方向せり出し部分を有し、該せり出し部分の底面から下方へ第2の導電型の第2の単結晶半導体膜が設けられ、前記第1の開口内の前記単結晶半導体基板表面上には第2の導電型の第3の単結晶半導体膜が設けられ、前記第2の単結晶半導体膜と前記第3の単結晶半導体膜とは前記第1の絶縁膜開口段差の途中で互いに接続されており、前記第1及び前記第2の単結晶半導体膜の表面及び前記第3の単結晶半導体膜の表面に選択的に第2の絶縁膜が形成され、第1の単結晶半導体膜のせり出し寸法は、第3の単結晶半導体膜厚よりも大きいことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/20

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-115609   出願人：日本電気株式会社
• 特開平1-181562