特許

J-GLOBAL ID：200903020057512497

面型光半導体素子

発明者： 笠原 健一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 本庄 伸介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-140164
公開番号（公開出願番号）：特開平5-308172
出願日： 1992年04月30日
公開日（公表日）： 1993年11月19日
要約：

【要約】【目的】 1μmの波長帯域でレーザ光が得られ、低閾値で動作する面型光半導体素子を実現する。【構成】 n型DBR102はAlAs/GaAsより成るが、その上にInGaAsP/InP系の格子定数が異なる材料系を成長する際にSiO2 誘電体膜120の開口部121に選択的に成長させる。それによって歪を側面に逃がし、良好な特性の面型光半導体素子が実現される。

請求項（抜粋）：

GaAs又はAlGaAs基板の上にAl<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>As(0<x<1)とAl<SB>y </SB>Ga<SB>1-y </SB>As(0<y<1)を交互に積層した半導体分布反射鏡が成長され、その上にInPバッファー層とIn<SB>z </SB>Ga<SB>1-z </SB>As<SB>w </SB>P<SB>1-w</SB>活性層(0<z,w<1)を含む中間層が成長され、さらにその上に多層膜反射鏡が形成されている面型光半導体素子において、前記半導体分布反射鏡を成長した後、その上に誘電体膜を形成し、一部を開口してそこに選択的に前記InPバッファー層と前記中間層を成長してあることを特徴とする面型光半導体素子。