特許

J-GLOBAL ID：200903020057831002

微細加工構造の懸架素子作成方法

発明者： ロベール,フィリップ ,  ミシェル,フランス ,  グランジュ,ユベール
出願人/特許権者： コミツサリア タ レネルジー アトミーク
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-529703
公開番号（公開出願番号）：特表2001-507289
出願日： 1997年12月29日
公開日（公表日）： 2001年06月05日
要約：

【要約】本発明は、第1材料で作られた第1の所謂阻止層2と第2の材料で作られたその中に懸架素子7が形成される第2層で連続して覆われた基板1から成る構造物を、エッチング技術を使用して、微細加工することによって少なくとも懸架素子7を製造する方法に関する。本方法は、阻止層2に影響を与えることなく、第2材料の異方性エッチングのために確立された条件の下で、第2層3をエッチングすることを可能にする選択性を持つガスを用いるドライエッチング技術を使用する。そのエッチングは、阻止層2のレベルまで懸架素子7の範囲を定める第1フェイズにしたがって行われ、続けて第1フェイズ中に範囲を定められ阻止層に隣接する懸架素子の表面層をエッチングすることで懸架素子7を自由にする第2フェイズにしたがって行われる。

請求項（抜粋）：

第1材料で作られるストップ層(2)と呼ばれる第1層と懸架素子(7)がその中に形成される第2材料で作られる第2層(3)で連続して覆われた基板(1)から成る構造を微細加工するエッチング技術を用いて少なくとも一つの懸架素子(7)を作るプロセスであって、 使用される前記プロセスが、前記第2材料の異方性エッチングを可能にするように決められた条件の下で、前記ストップ層(2)をエッチングすることなく前記第2層(3)をエッチングすることを可能にする十分な選択性を有するガスを使用するドライエッチング技術であり、前記エッチングが、前記ストップ層(2)のレベルまで前記懸架素子(7)の範囲を定める第1フェーズにしたがって行われ、前記第1フェーズで範囲を定められ前記ストップ層(2)に隣接する前記懸架素子の表面層をエッチングすることで前記懸架素子(7)が離される第2フェーズに継続されることを特徴とするプロセス。

IPC (4件)：

B81C 1/00 ,  G01P 9/00 ,  G01P 15/02 ,  H01L 29/84

FI (4件)：

B81C 1/00 ,  G01P 9/00 Z ,  G01P 15/02 A ,  H01L 29/84 Z