特許

J-GLOBAL ID：200903020060851510

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 布施 マリオ ,  西原 義雄 ,  広田 匡紀
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 吉田 精孝 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-121368
公開番号（公開出願番号）：特開平6-236894
出願日： 1991年05月27日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：

【要約】【目的】 ポリシリコン薄膜トランジスタのキャリアの移動度を向上する。【構成】 絶縁性基板1上にアモルファスシリコン膜2を堆積し、該アモルファスシリコン膜2にリン(P+ )イオンを注入し、さらにアニールを施すことにより、前記アモルファスシリコン膜2をグレイン径の大きなポリシリコン膜3となし、さらに該ポリシリコン膜3を活性層としてポリシリコン薄膜トランジスタを形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上にアモルファスシリコン膜を堆積し、該アモルファスシリコン膜にリン(P+ )イオンを注入し、これにアニールを施してポリシリコン膜とした後、該ポリシリコン膜を活性層として薄膜トランジスタを形成するようになしたことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/20