特許

J-GLOBAL ID：200903020063515244

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： 大谷 充孝 ,  宮澤 覚 ,  堤 憲太郎 ,  前田 一彦 ,  原田 裕次 ,  畠山 潤 ,  河合 義夫 ,  笹子 勝 ,  遠藤 政孝 ,  岸村 眞治
出願人/特許権者： セントラル硝子株式会社 ,  信越化学工業株式会社 ,  松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-170197
公開番号（公開出願番号）：特開2002-363222
出願日： 2001年06月05日
公開日（公表日）： 2002年12月18日
要約：

【要約】【課題】新規な高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法を提供する。【解決手段】下記一般式(1a)、(1b)及び(1c)の繰り返し単位を含有することを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R1、R2、R3は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。R4は酸不安定基、密着性基、水素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基から選ばれた1種または複数の置換基であり、少なくとも一部に酸不安定基を含有する。R5a、R5b、R5c及びR5dは水素原子、フッ素原子、メチル基、フッ素化されたメチル基であり、かつR5a、R5bの少なくとも一方、およびR5c、R5dの少なくとも一方にトリフルオロメチル基を含有する。R6a、R6bは水素原子またはメチル基である。)

請求項（抜粋）：

下記一般式(1a)、(1b)及び(1c)の繰り返し単位を含有することを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R1、R2、R3は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。R4は酸不安定基、密着性基、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基から選ばれた1種または複数の置換基であり、少なくとも一部に酸不安定基を含有する。R5a、R5b、R5c及びR5dは水素原子、フッ素原子、メチル基、フッ素化されたメチル基であり、かつR5a、R5bの少なくとも一方、およびR5c、R5dの少なくとも一方にトリフルオロメチル基を含有する。R6a、R6bは水素原子、メチル基、フッ素化されたメチル基である。)

IPC (5件)：

C08F212/14 ,  C08F220/22 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

C08F212/14 ,  C08F220/22 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (46件)：

2H025AA01 ,  2H025AA03 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AB07Q ,  4J100AB07R ,  4J100AC53Q ,  4J100AC53R ,  4J100AL08P ,  4J100AL16P ,  4J100AL26P ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA04Q ,  4J100BA05Q ,  4J100BA06Q ,  4J100BA11Q ,  4J100BA12Q ,  4J100BA15Q ,  4J100BA28Q ,  4J100BA35Q ,  4J100BA40Q ,  4J100BB07P ,  4J100BB18Q ,  4J100BB18R ,  4J100BC03Q ,  4J100BC04Q ,  4J100BC09Q ,  4J100BC12P ,  4J100BC12Q ,  4J100BC21Q ,  4J100BC52Q ,  4J100BC54Q ,  4J100BC58Q ,  4J100CA05 ,  4J100JA38