半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-336127
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142652
出願日： 2001年11月01日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】【課題】低コストで、小型化・薄型化を図ることが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置33は、第1および第2の開口部11a、12aが形成された第1の基板1aと、第1の開口部11aの内部に配置された電子部品2aと、第1の基板1aにおいて第2の開口部12aが形成された面上に積層するように配置された第2の基板1bと、第2の基板1bにおいて第2の開口部12aと対向する表面領域上に形成されるとともに、第2の開口部12aに挿入された突起電極7bとを備える。

請求項（抜粋）：

第1および第2の開口部が形成された第1の基板と、前記第1の開口部の内部に配置された電子部品と、前記第1の基板において前記第2の開口部が形成された面上に積層するように配置された第2の基板と、前記第2の基板において前記第2の開口部と対向する表面領域上に形成されるとともに、前記第2の開口部に挿入された突起電極とを備える、半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 25/10 , H01L 23/12 501 , H01L 25/11 , H01L 25/18

FI (2件)：

H01L 23/12 501 B , H01L 25/14 Z

前のページに戻る