半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：尾川秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-098802
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275619
出願日： 1992年03月24日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】薄膜ポリシリコン抵抗を有する半導体装置の製法において、アニール時にポリシリコン層が酸化されて薄膜ポリシリコン抵抗の抵抗値が変動することを防止する。【構成】ポリシリコン層3上をナイトライド膜8でマスクした状態で該ポリシリコン層3に該ナイトライド膜8越しに不純物をイオン打込みをし、その後、この不純物の活性化のためのアニールをする。

請求項（抜粋）：

下地となる絶縁膜上に形成された薄膜ポリシリコン抵抗となるポリシリコン層上をナイトライド膜でマスクした状態で該ポリシリコン層に該ナイトライド膜越しに不純物をイオン打込みし、その後、上記不純物の活性化のためのアニールをすることを特徴とする半導体装置の製造方法

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭63-077143
特開昭61-228661

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