薄膜抵抗のエッチング方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：平田忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-017264
公開番号（公開出願番号）：特開平8-241883
出願日： 1996年02月02日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：

【要約】【課題】薄膜抵抗を製造する既知の方法は、抵抗性材料を汚染し腐蝕させクロムの酸化を増加させて、それにより抵抗体のシート抵抗に不利に影響を及ぼす。また、既知の方法は抵抗性材料と電気的配線との間に「汚れた」接触を残し、それにより抵抗体の接触抵抗に不利に影響する。【解決手段】半導体装置内の薄膜抵抗をエッチングする方法であって、基板上に薄膜抵抗材料を成膜し、成膜室内の真空を維持しつつ成膜室内で薄膜抵抗材料の露出表面上に非-ホトレジストハードマスクを成膜し、薄膜抵抗材料に影響を与えない第1のエッチ液でハードマスクの描画された部分をエッチングしてその下の材料を露出させ、ハードマスクに影響を与えない第2のエッチ液で露出した薄膜抵抗材料をウェットエッチングする各工程から構成される方法。

請求項（抜粋）：

半導体装置内の薄膜抵抗をエッチングする方法であって、基板上に薄膜抵抗材料を成膜し、成膜室内の真空を維持しつつ成膜室内で薄膜抵抗材料の露出表面上に非-ホトレジストハードマスクを成膜し、薄膜抵抗材料に影響を与えない第1のエッチ液でハードマスクの描画された部分をエッチングしてその下の材料を露出させ、ハードマスクに影響を与えない第2のエッチ液で露出した薄膜抵抗材料をウェットエッチングする各工程から構成される方法。

IPC (5件)：

H01L 21/306 , H01L 21/3205 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H05K 3/06

FI (4件)：

H01L 21/306 F , H05K 3/06 , H01L 21/88 Z , H01L 27/04 P

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭49-042284
特開昭60-175425

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