特許

J-GLOBAL ID：200903020075323065

半導体装置およびその製造方法

発明者： 白土 貴嗣
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  内藤 浩樹 ,  永野 大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-228231
公開番号（公開出願番号）：特開2007-043014
出願日： 2005年08月05日
公開日（公表日）： 2007年02月15日
要約：

【課題】モールド樹脂パッケージ成形時の樹脂漏れを防ぐとともに、モールド樹脂パッケージと基板との密着性を高めた半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置10は、基板2に搭載した半導体素子1を、樹脂封止金型を用いてモールド樹脂パッケージ7で封止した半導体装置10であって、半導体素子1が搭載された面である基板2の上面から側面に沿って形成され、半導体素子1と導通接続される電極3と、基板2の端部であって、半導体素子1を樹脂封止する際に基板2が樹脂封止金型により挟持される領域となる位置に形成されたレジスト層6と、基板2の上面であって、半導体素子1とレジスト層6との間に台形状に形成されたザグリ溝5とを備えた。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板に搭載した半導体素子を、樹脂封止金型を用いてモールド樹脂パッケージで封止した半導体装置であって、 前記半導体素子が搭載された面である前記基板の上面から側面に沿って形成され、前記半導体素子と導通接続される電極と、 前記半導体素子を樹脂封止する際に前記基板が樹脂封止金型により挟持される領域に形成されたレジスト層と、 前記基板の上面であって、前記半導体素子と前記レジスト層との間に形成された溝と を備えた半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 23/28

FI (1件)：

H01L23/28 C

Fターム (5件)：

4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA21 ,  4M109DB06 ,  4M109DB16

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 発光表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-105983   出願人：松下電子工業株式会社