特許

J-GLOBAL ID：200903020076223099

ドライエッチング方法

発明者： 長山 哲治 ,  柳田 敏治 ,  門村 新吾
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-316260
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005558
出願日： 1992年10月31日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：

【要約】【目的】 CFC(クロロフルオロカーボン)ガスを用いずにGaAs/AlGaAs積層系の選択異方性エッチングを行う。【構成】 HEMTのゲート・リセス5aの加工において、n+ -AlGaAs層4上のn+ -GaAs層5を>C=O基,>S=O基,-N=O基等の極性官能基を有するハロゲン化合物を用いてエッチングする。レジスト・マスク6の分解生成物に由来する炭素系ポリマーに上記の官能基、あるいはC-C結合よりも結合エネルギーの大きいC-O結合,C-S結合,C-N結合等が導入され、強固な側壁保護膜7が形成される。異方性加工に必要な入射イオン・エネルギーと炭素系ポリマーの堆積量を低減でき、高選択・低汚染エッチングが行える。具体的なエッチング・ガス組成は、COF2 /Cl2 ,SOF2 /S2 Cl2 ,NOCl/SF6 等。

請求項（抜粋）：

アルミニウムを含む化合物半導体層の上に積層されたアルミニウムを含まない化合物半導体層を、分子内にカルボニル基, チオニル基, スルフリル基, ニトロシル基, ニトリル基から選ばれる少なくとも1種類の官能基に加えてフッ素原子を有する化合物を含むエッチング・ガスを用いて選択的にエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 29/80 F ,  H01L 29/80 H