特許
J-GLOBAL ID：200903020078611185
半導体光変調器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-119191
公開番号（公開出願番号）：特開平7-325328
出願日： 1994年05月31日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：
【要約】【目的】 方向性結合器型の半導体光変調器であって、αパラメータをゼロにでき、かつ、従来に比べ高速動作する半導体光変調器を提供する。【構成】 FeドープのInP基板11上に、n-InP下側クラッド層15、i-InGaAsP導波層17、p-InP中間クラッド層19、i-InGaAsP導波層21およびn-InP上側クラッド層23をこの順に積層して構成した積層体17を具える。さらに、この積層体23の両側の一方にn-InP埋め込み層25を具え、他方にp-InP埋め込み層27を具える。そして、n-InP埋め込み層25上に第1の電極29を具え、p-InP埋め込み層27上に第2の電極31を具える。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板と、該絶縁性基板の一部分上に設けられ、少なくとも第一導電型の下側クラッド層、真性の第1の導波層、第二導電型の中間クラッド層、真性の第2の導波層および第一導電型の上側クラッド層をこの順に積層して構成した積層体と、該積層体の両側の一方を埋め込んでいる第一導電型の半導体層および他方を埋め込んでいる第二導電型の半導体層とを具えたことを特徴とする半導体光変調器。
IPC (3件)：
G02F 1/313
, G02B 6/12
, G02F 1/025
