特許

J-GLOBAL ID：200903020080367844

半導体素子

発明者： 吹田 宗義 ,  遠藤 康行 ,  安村 賢二
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-202080
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053613
出願日： 1992年07月29日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】【目的】 p型II〜VI族化合物半導体との接触抵抗を低減でき、かつオーミック接触が得られるp型電極構造の半導体素子を得る。【構成】 p型II〜VI族化合物半導体層の高濃度p-ZnSe層10とp型電極金属14の間に、HgSe結晶層15でなるHg化合物の半導体層を形成し、その上に電極14を形成する構造とする。【効果】 p型II〜VI族化合物半導体と電極金属の間にバンドギャップの狭いHg化合物を形成することによって接触抵抗の低減化が図れる。

請求項（抜粋）：

半導体多層構造のp型結晶層と金属電極との間に、(CdZn)Hg(SSeTe)で表記されるHg化合物結晶を含む半導体層を形成したことを特徴とする半導体素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 29/46