特許
J-GLOBAL ID：200903020081475233
高密度回路装置およびその形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-186447
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058285
出願日： 1993年07月28日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、高い回路密度を有し、処理技術や材料の異なるものを混合して使用することができ、容易に回路層を付加拡張できる3次元回路構造を得ることを目的とする。【構成】 2つのウエハ2a, 2bが結合され、その第1のウエハ2bは基体6bと、絶縁層8bと、第1の集積回路層10b とからなり、他方のウエハ2aは第2の集積回路層10a を有するかまたは光検出器基体である。両ウエハが絶縁性接着材料層4 により結合された後、ウエハ2bの基体6bが除去され、絶縁層10b を貫通して第1の集積回路層のパッド12b まで第1の組の開口14b が形成され、第2の組の開口12a が絶縁層8b、第1の集積回路層10b および接着材料層4 を貫通して下方の基体のパッド12a まで形成される。これらの開口は導電材料で満たされて上方の集積回路層と下方の基体とを接続する電気接続手段を形成する。
請求項（抜粋）：
基体と、この基体を覆ってそれから間隔を隔てて配置された第1の集積回路層と、この第1の集積回路層を覆う第1の電気絶縁層と、前記第1の集積回路層と基体とを接着し、それらを互いに電気的に絶縁する電気絶縁性接着材料層であって、分離したとき前記基体の熱膨脹係数と実質的に異なった熱膨脹係数を有するが、前記基体の熱膨脹運動に実質上したがうような十分に薄い電気絶縁性接着材料層と、電気絶縁層の開口を通って延在し、前記第1の集積回路層と電気接触を設定する1以上の第1の電気接続手段と、前記電気絶縁層と、前記第1の集積回路層と、前記電気絶縁性接着材料層との開口を通って延在し、前記基体と電気接続を設定する1以上の第2の電気接続手段とを具備していることを特徴とする3次元回路構造。
IPC (2件)：
H01L 27/00 301
, H01L 21/768
