特許
J-GLOBAL ID:200903020084042842

ドライエッチング装置及びドライエッチング方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大岩 増雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-208273
公開番号(公開出願番号):特開2000-040694
出願日: 1998年07月23日
公開日(公表日): 2000年02月08日
要約:
【要約】【課題】 ドライエッチング装置における絶縁性基板への電荷の蓄積を抑制し、異常放電によるレジスト剥がれや断線等の不良を防止する。【解決手段】 ガラス基板1を冷却するためのHe冷却機構と、ガラス基板1周辺部を全周にわたって上側より押さえ固定する枠状のクランプ2を備えたドライエッチング装置において、クランプ2に、内周部から外周部に向かって肉厚となるような傾斜をつけ、処理ガスの流れがスムーズに行われるようにした。クランプ2の傾斜は緩いほど効果的であるが、He冷却の圧力に耐え、150度程度の温度でも変形しないように強度を持たせる必要があるため、約30〜50度とした。さらに、クランプ2の傾斜面に、ガラス基板1の外周に対して垂直方向に複数の溝6a、6cを設けることにより、効果的にクランプ2近傍のガラス基板1周辺でのガスの滞留を防止できる。
請求項(抜粋):
表面に被処理膜を有する基板が設置された真空雰囲気中にエッチング用ガスを導入し、一対の電極間に高周波を印加してプラズマを発生させ、このプラズマ中で発生したイオン及びラジカルにより上記基板表面にエッチング加工を施すドライエッチング装置であって、上記基板を冷却するためのHe冷却機構と、上記基板周辺部を全周にわたって上側より押さえ固定する枠状のクランプを備え、上記クランプは、内周部から外周部に向かって肉厚となるような傾斜面を有し、この傾斜面に、基板の外周に対して垂直方向に複数の溝を設けたことを特徴とするドライエッチング装置。
IPC (3件):
H01L 21/3065 ,  G02F 1/13 101 ,  G02F 1/1343
FI (3件):
H01L 21/302 B ,  G02F 1/13 101 ,  G02F 1/1343
Fターム (12件):
2H088FA18 ,  2H088FA30 ,  2H088HA08 ,  2H092HA04 ,  2H092JA24 ,  2H092MA08 ,  2H092MA19 ,  5F004BA06 ,  5F004BB25 ,  5F004BB28 ,  5F004BB32 ,  5F004DB31

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