特許

J-GLOBAL ID：200903020085790281

半導体集積回路装置

発明者： 外所 正弥 ,  山崎 英治 ,  鈴木 津幸 ,  田中 均
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-026634
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223673
出願日： 1999年02月03日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：

【要約】【課題】 高信頼性と高集積化とを実現した昇圧電圧発生回路を備えた半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】 3倍昇圧のポンピング回路において、各回路素子のうちゲート絶縁膜に電源電圧しかかからないMOSFET及びキャパシタは、それに必要な耐圧を持つ薄いゲート絶縁膜とし、ゲート絶縁膜に2倍の電源電圧がかかるものはそれに必要な耐圧を持つ厚いゲート絶縁膜とする。

請求項（抜粋）：

動作電圧レベルに対応された周期的なパルス信号と第1のMOSキャパシタを用いて上記動作電圧の2倍の昇圧電圧を形成する第1の昇圧回路と、上記第1のキャパシタにより形成された上記2倍の昇圧電圧と上記動作電圧レベルにチャージアップされた第2のMOSキャパシタの電圧とを加算して上記動作電圧の3倍の昇圧電圧を形成する第2の昇圧回路とからなる昇圧電圧発生回路を備え、上記昇圧電圧発生回路は、そのゲート絶縁膜に上記動作電圧に対応した電位差が印加されるMOSFETはかかる電圧に対応した耐圧を持つ薄いゲート絶縁膜で構成され、そのゲート絶縁膜に上記2倍の動作電圧に対応した電位差が印加されるMOSFETはかかる電圧に対応した耐圧を持つ厚いゲート絶縁膜で構成されてなることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  G11C 11/407

FI (2件)：

H01L 27/10 681 F ,  G11C 11/34 354 F

Fターム (8件)：

5B024AA07 ,  5B024BA27 ,  5B024CA27 ,  5F083AD00 ,  5F083LA07 ,  5F083LA09 ,  5F083LA16 ,  5F083ZA07