特許
J-GLOBAL ID：200903020086716441
フォトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-202385
公開番号（公開出願番号）：特開2008-026822
出願日： 2006年07月25日
公開日（公表日）： 2008年02月07日
要約：
【課題】 透明基板の透過率補正を高精度に行うことができ、hp45nm以下という極微細な半導体デバイスの製造歩留まり向上をはかる。【解決手段】 フォトマスクの製造方法であって、透明基板上に遮光膜パターンが形成されたフォトマスクを用意する工程(S4)と、パターンの寸法のマスク面内分布を測定することにより、パターン寸法マップを生成する工程(S6)と、パターン形成領域を複数の領域に区切り、該複数の各領域に透過率補正係数を決定し、透過率補正係数マップを生成する工程(S3)と、パターン寸法マップと透過率補正係数マップから各領域の透過率補正値を求める工程(S7)と、透過率補正値に基づいて、各領域に対応する透明基板の透過率を変化させる工程(S8)とを含む。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
透明基板上に遮光体パターンが形成されたフォトマスクを用意する工程と、
前記パターンの寸法のマスク面内分布を測定することにより、パターン寸法マップを生成する工程と、
前記パターンの形成領域を複数の領域に区切り、該複数の各領域に透過率補正係数を決定し、透過率補正係数マップを生成する工程と、
前記パターン寸法マップと透過率補正係数マップから前記各領域の透過率補正値を求める工程と、
前記透過率補正値に基づいて、前記各領域に対応する透明基板の透過率を変化させる工程と、
を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F1/08 A
, H01L21/30 502P
2H095BB02
, 2H095BC26
, 2H095BD31
出願人引用 (1件)
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国際特許出願公開番号 WO 2005/008333 A2
審査官引用 (9件)
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