特許

J-GLOBAL ID：200903020086923668

半導体装置の製造方法

発明者： 玉岡 英二 ,  平尾 秀司
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-243608
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087494
出願日： 1997年09月09日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】 多層配線を有する半導体装置の製造方法において電極や配線間を接続する接続孔にずれが生じないようにする。【解決手段】 下層配線13が形成された半導体基板11の上に、高密度プラズマCVD法を用いて層間絶縁膜14を堆積すると、該層間絶縁膜14における下層配線13の上方に、底辺が該下層配線13とほぼ同一の幅寸法を持つ断面三角形状の凸部14aが形成される。次に、層間絶縁膜14の上に窒化ケイ素膜15を堆積し、凸部14aの頂部に対して研磨を行なって該凸部14aの窒化ケイ素膜15及び層間絶縁膜14の一部を除去することにより、窒化ケイ素膜15に層間絶縁膜14を露出させる。その後、レジストパターン16及び窒化ケイ素膜15をマスクとして、層間絶縁膜14に対して異方性ドライエッチングを行なうことにより、下層配線13の上面が露出するビアホール14cを形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に電極又は配線を形成する工程と、前記半導体基板の上に全面にわたって層間絶縁膜を堆積すると共に、前記半導体基板の上における前記電極又は前記配線の上方に、底辺が前記電極又は前記配線とほぼ同一の幅寸法を持つ断面三角形状の凸部を有する層間絶縁膜を堆積する工程と、前記層間絶縁膜における前記断面三角形状の凸部の頂部を除去することにより、該凸部を断面台形状とする工程と、前記層間絶縁膜における断面台形状の凸部の上面の両側部を用いて前記層間絶縁膜に前記電極又は前記配線の上面を露出させる接続孔を自己整合的に形成する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。