特許
J-GLOBAL ID:200903020088113612
パターン評価装置及びパターン評価方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
竹村 壽
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-305771
公開番号(公開出願番号):特開2002-116011
出願日: 2000年10月05日
公開日(公表日): 2002年04月19日
要約:
【要約】【課題】 レジストパターンなどの欠陥検査及びパターン計測法を基に、照射光の選択性を上げ、回折光及び散乱強度との相関を利用してエッジラフネスを容易に計測することが可能なパターン評価装置及び評価方法を提供する。【解決手段】 レジストパターンを評価する評価装置及び評価方法は、評価すべきレジストパターンが形成されている半導体基板などのウェハに対して垂直又は斜方入射可能な光3を発生する光源手段と、光ディテクタ検出手段5と、スペクトル解析手段7と、スペクトル解析の結果に基づくレジストパターンのラフネスを算出する手段とを備えている。この方法により照射光の選択性を上げ、従来の光強度からエッジラフネスを計測するのではなく、スペクトル解析による光の広がりを検出することによりレジストパターンのエッジラフネスを容易に計測することができる。
請求項(抜粋):
基板上に形成されたレジストパターンにこの基板に対して垂直又は斜方向から入射する光を照射する手段と、前記レジストパターンから反射・散乱してくる反射光もしくは散乱光の強度を波長の大きさ毎に測定する光検出手段と、前記反射もしくは散乱光のスペクトルの広がりをスペクトル解析により測定する手段と、前記スペクトル解析の結果に基づいてレジストパターンのラフネスを算出する手段とを備えたことを特徴とするパターン評価装置。
IPC (4件):
G01B 11/24
, G01N 21/956
, G03F 7/20 521
, H01L 21/66
FI (4件):
G01N 21/956 A
, G03F 7/20 521
, H01L 21/66 J
, G01B 11/24 Z
Fターム (52件):
2F065AA00
, 2F065AA54
, 2F065CC19
, 2F065FF41
, 2F065FF48
, 2F065FF49
, 2F065FF61
, 2F065GG02
, 2F065GG04
, 2F065HH04
, 2F065HH12
, 2F065HH13
, 2F065JJ15
, 2F065LL02
, 2F065LL28
, 2F065LL30
, 2F065LL33
, 2F065LL34
, 2F065LL42
, 2F065LL46
, 2F065LL67
, 2F065MM03
, 2F065MM04
, 2F065QQ25
, 2F065RR08
, 2F065SS13
, 2G051AA56
, 2G051AB02
, 2G051AC21
, 2G051BA10
, 2G051BA11
, 2G051BB07
, 2G051BB17
, 2G051BB20
, 2G051CA03
, 2G051CC15
, 2G051DA07
, 2G051EB09
, 2G051EC02
, 2G051EC04
, 4M106AA01
, 4M106BA04
, 4M106BA05
, 4M106CA39
, 4M106DB03
, 4M106DB07
, 4M106DB16
, 4M106DJ02
, 4M106DJ04
, 4M106DJ06
, 4M106DJ18
, 4M106DJ20
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