特許

J-GLOBAL ID：200903020089147758

エツチング方法

発明者： 上出 幸洋
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-208161
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047721
出願日： 1991年08月20日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】 Al系配線層の塩素系ガスによるエッチング加工後におけるアフターコロージョンの発生を確実に防止する。【構成】 層間絶縁膜1上に形成されたAl系配線層7をフォトレジストパターン8を介してドライエッチングすることにより、所望の配線パターンにパターニングするエッチング方法において、最初にヨウ素化合物(HI)を含んだ塩素系の反応性ガスによりドライエッチングを行って、AlとClの反応生成物(AlCl3 )とヨウ素化合物との副反応生成物(AlI3 )9により、Al系配線層7のエッチング側壁に順テーパを形成する。その後、露出する層間絶縁膜1に対してヨウ素化合物を含まない塩素系の反応性ガスによりオーバーエッチングして、そのイオン衝撃により、Al系配線層7のエッチング側壁に付着した副反応生成物9と層間絶縁膜1からのスパッタ物で形成されるスパッタ膜10を再スパッタ除去する。

請求項（抜粋）：

絶縁膜上に形成されたAl系配線層に対し、レジストマスクを介してドライエッチングを行うことにより、上記Al系配線層を所望の配線パターンに形成するエッチング方法において、塩素系ガスを含む第1の反応性ガスにより、上記Al系配線層を上記絶縁膜が露出するまでドライエッチングする工程と、露出する上記絶縁膜の表面を、塩素系ガスを含む第2の反応性ガスにより、オーバーエッチングする工程を有することを特徴とするエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/88 D ,  H01L 21/88 N