特許
J-GLOBAL ID：200903020092243709
多層薄膜配線基板、該基板を用いたモジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-340724
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175659
出願日： 1991年12月24日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】【目的】半導体素子を多層薄膜配線基板に直接搭載した両面実装モジュールの提供。【構成】表面に微細配線パターン2が形成された絶縁層1が複数積層された多層薄膜配線基板であって、該配線基板は熱膨張係数が基板全体にほぼ均一となるよう構成されており、該配線基板面にLSI3が搭載されており、該配線基板の両面が熱的にほぼバランスするようLSIが配置搭載されたモジュール。【効果】搭載されたLSIは多層薄膜配線基板の高密度配線により接続されているので、実装密度と信号伝送速度を向上でき、基板両面が熱的にバランスしているので熱応力による基板の層間剥離、変形が抑制される。
請求項（抜粋）：
表面に微細配線パターンが形成された絶縁層が複数積層された多層薄膜配線基板であって、該配線基板の熱膨張係数が基板全体でほぼ均一となるよう構成されていることを特徴とする多層薄膜配線基板。
IPC (2件)：
引用特許：
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