特許

J-GLOBAL ID：200903020092276801

半導体装置の製造方法

発明者： ▲高▼橋 向星 ,  細田 昌宏 ,  菅 康夫 ,  角田 篤男 ,  谷 健太郎
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-136882
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335235
出願日： 1992年05月28日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】 分子線エピタキシー法により、リンを含む材料を蒸発セルで蒸発させた後、所定の加熱領域を通して基板上に供給して、上記基板にAlGaInP系結晶を成長させる場合に、結晶性を良好にする。【構成】 上記加熱領域で、上記リンを700°C以上900°C未満の温度に加熱する。これにより、4原子分子P4と2原子分子P2との両方を適度の割合で基板に供給する。

請求項（抜粋）：

分子線エピタキシー法により、リンを含む材料を蒸発セルで蒸発させた後、所定の加熱領域を通して基板上に供給して、上記基板にAlGaInP系結晶を成長させる半導体装置の製造方法において、上記加熱領域で、上記リンを700°C以上900°C未満の温度に加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/203 ,  C30B 23/08 ,  C30B 29/40 502 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭61-278129
  
• 特開平4-005819
  
• 特開平4-025120