特許

J-GLOBAL ID：200903020093124452

半導体ウェハ及びその製造方法

発明者： 福永 寿也
出願人/特許権者： 九州コマツ電子株式会社 ,  コマツ電子金属株式会社
代理人 (1件)： 衞藤 彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-181827
公開番号（公開出願番号）：特開平7-006985
出願日： 1993年06月15日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：

【要約】【目的】 エピタキシャル成長工程での髭状の突起物(ノジュール)の発生を防ぎ、デバイスプロセス工程中の塵芥の発生を防止することができる半導体ウェハを提供する。【構成】 半導体ウェハのポリシリコン膜堆積面に保護シールを貼着する。保護シールを貼着した半導体ウェハのエッジ部を研削する。エッジ部を研削した半導体ウェハの鏡面面取を行う。鏡面面取を行った半導体ウェハを洗浄する。

請求項（抜粋）：

少なくとも片面にポリシリコン膜が堆積された半導体ウェハにおいて、エッジ部のポリシリコン膜を除去したことを特徴とする半導体ウェハ。

IPC (4件)：

H01L 21/304 301 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 331 ,  H01L 21/02

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平2-100319