特許
J-GLOBAL ID:200903020104796164

スピンバルブ型薄膜磁気素子及び薄膜磁気ヘッド

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 志賀 正武 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-086261
公開番号(公開出願番号):特開2001-339111
出願日: 2001年03月23日
公開日(公表日): 2001年12月07日
要約:
【要約】【課題】 ハ ゙イアス層と強磁性層との界面に発現する交換結合磁界を向上させることによりフリー磁性層の磁化の方向を一方向に確実に揃えることができ、また、従来のスヒ ゚ンハ ゙ルフ ゙型薄膜磁気素子と同じ大きさの交換結合磁界を得る場合、従来のスヒ ゚ンハ ゙ルフ ゙型薄膜磁気素子よりもハ ゙イアス層の厚みを薄くできるスヒ ゚ンハ ゙ルフ ゙型薄膜磁気素子の提供。【解決手段】 反強磁性層2と、反強磁性層2との交換異方性磁界により磁化方向が固定される固定磁性層3と、非磁性導電層4と、フリー磁性層5とからなる積層体と、フリー磁性層5の磁化方向を固定磁性層3の磁化方向に対して交差する方向に揃えるハ ゙イアス層6、6と、層6、6に接して形成された強磁性層7、7と、フリー磁性層5に検出電流を与える導電層8、8とを有し、強磁性層7、7は、非磁性中間層7cを介して2つに分断され、分断された層7a、7bどうしで磁化の向きが180度異なるフェリ磁性状態とされたスヒ ゚ンハ ゙ルフ ゙型薄膜磁気素子1。
請求項(抜粋):
反強磁性層と、該反強磁性層に接して形成され、該反強磁性層との交換異方性磁界により磁化方向が固定される固定磁性層と、該固定磁性層の上に非磁性導電層を介して形成されたフリー磁性層とからなる積層体と、前記フリー磁性層の磁化方向を前記固定磁性層の磁化方向に対して交差する方向に揃えるバイアス層と、該バイアス層に接して形成された強磁性層と、前記フリー磁性層に検出電流を与える導電層とを有するスピンバルブ型薄膜磁気素子であり、前記強磁性層は、非磁性中間層を介して2つに分断され、分断された層どうしで磁化の向きが180度異なるフェリ磁性状態とされたことを特徴とするスピンバルブ型薄膜磁気素子。
IPC (6件):
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/32
FI (6件):
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/32 ,  G01R 33/06 R
引用特許:
審査官引用 (4件)
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