特許

J-GLOBAL ID：200903020107193940

絶縁配線層の平坦化

発明者： マノジ クマー ジェイン ,  マイクル フランシス キショルム
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-255398
公開番号（公開出願番号）：特開平8-195395
出願日： 1995年10月02日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：

【要約】【課題】 安価かつ短時間でデバイスの平坦度を増すこと【解決手段】 配線層の平坦度を改善するように、網状導線および幅選択性平坦化された層間絶縁膜(ILD)をデポジットする方法を使用する半導体デバイスおよびその製造方法が開示されている。必要な中空のない導線の幅がプロセスおよび設計に依存するクリティカル幅よりも太くなる場合、中実導線の代わりに、網状導線52を使用する。

請求項（抜粋）：

半導体デバイス上のパターン化された導線および隣接領域を覆うように平坦化された絶縁体を製造する方法において、(a)基板上に導電材料の層をデポジットする工程と、(b)前記導線のための位置および周辺壁を画定するように、前記基板上の限定領域内の導電材料の前記層を除く工程と、(c)水平方向の最小の大きさが前記導線よりも小さい、少なくとも2つの一体的に形成された導電セグメントのうちで、前記導線の電流を流す能力を分割するように、前記導線に対する内側および/またはノッチ壁を形成するように、前記限定領域内の少なくとも1つの領域から導電材料の前記層を除く工程と、(d)水平方向の最小の大きさに基づき、最小のものから最大のものへ順に選択的に平坦化するデポジション方法により、前記導線および前記基板を覆うように絶縁層を形成する工程とを備えた、平坦化された絶縁体を製造する方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/34

FI (2件)：

H01L 21/88 K ,  H01L 21/90 P