特許

J-GLOBAL ID：200903020116831127

半導体装置及びその製造方法

発明者： 黄金井 宏貞
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 開口 宗昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-186910
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009152
出願日： 2000年06月21日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 低誘電率の有機化合物を層間絶縁膜として用いた半導体装置において、金属配線との密着性を維持しつつ、しかも応力集中による破壊のない信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 金属配線102上に形成されかつ低誘電率の有機化合物からなる層間絶縁膜104と、前記層間絶縁膜上に形成された第二の金属配線108と、前記第一の層間絶縁膜と第二の金属配線との間の密着性を向上するために設けられた層間密着層106とを有する半導体装置において、前記層間絶縁膜と層間密着層との間に、その弾性率が前記層間絶縁膜より大でありかつ前記層間密着層よりも小である応力緩衝層105を設ける。

請求項（抜粋）：

金属配線上に形成されかつ低誘電率の有機化合物からなる層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成された第二の金属配線と、前記第一の層間絶縁膜と第二の金属配線との間の密着性を向上するために設けられた層間密着層とを有する半導体装置において、前記層間絶縁膜と層間密着層との間に、その弾性率が前記層間絶縁膜より大でありかつ前記層間密着層よりも小である応力緩衝層を設けてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/768 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318

FI (9件)：

C23C 16/40 ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/312 N ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/318 B ,  H01L 21/318 M ,  H01L 21/90 S ,  H01L 21/90 P

Fターム (50件)：

4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030FA01 ,  4K030FA06 ,  4K030FA10 ,  4K030HA04 ,  4K030LA15 ,  5F033GG02 ,  5F033HH13 ,  5F033JJ13 ,  5F033KK13 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033SS11 ,  5F033SS14 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033XX01 ,  5F033XX14 ,  5F033XX17 ,  5F033XX19 ,  5F033XX24 ,  5F058AA08 ,  5F058AD05 ,  5F058AD10 ,  5F058AD11 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058BA10 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD19 ,  5F058BF02 ,  5F058BF05 ,  5F058BF07 ,  5F058BJ02