光触媒膜付き基体およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大橋邦彦
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-569433
公開番号（公開出願番号）：特表2004-500240
出願日： 2001年03月15日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】【解決手段】金属チタンを含有するターゲットを減圧した雰囲気内でスパッタして基体上に酸化チタン膜を被覆し、その後その膜の酸素欠陥状態に応じて酸化性、不活性または還元性雰囲気で加熱処理をして、膜の表面抵抗を109〜1013Ω/□に制御する。酸化チタンに酸化ニオブを少量成分として含有させ、あるいは下地膜として酸化ニオブ膜を設けてもよい。

請求項（抜粋）：

チタンを含有するターゲットを減圧した雰囲気内でスパッタして基体上に被覆された、表面抵抗が109〜1013Ω/□の酸化チタン主成分の光触媒膜付き基体。

IPC (11件)：

B01J35/02 , B01J21/06 , B01J23/20 , B01J23/745 , B01J23/755 , B01J37/02 , B32B9/00 , B32B15/04 , C03C17/245 , C03C17/34 , C23C14/08

FI (11件)：

B01J35/02 J , B01J21/06 M , B01J23/20 M , B01J37/02 301P , B32B9/00 A , B32B15/04 Z , C03C17/245 A , C03C17/34 Z , C23C14/08 E , B01J23/74 301M , B01J23/74 321M

Fターム (93件)：

4F100AA19B , 4F100AA19C , 4F100AA21B , 4F100AA23B , 4F100AA23C , 4F100AA24B , 4F100AB01A , 4F100AD00A , 4F100AG00A , 4F100AK01A , 4F100AT00A , 4F100BA02 , 4F100BA03 , 4F100BA07 , 4F100BA10A , 4F100BA10B , 4F100BA13 , 4F100EJ58 , 4F100EJ582 , 4F100EJ602 , 4F100GB07 , 4F100GB41 , 4F100GB66 , 4F100JC00 , 4F100JG04B , 4F100JL08B , 4F100JM02B , 4F100YY00B , 4G059AA01 , 4G059AA08 , 4G059AC22 , 4G059AC30 , 4G059EA01 , 4G059EA04 , 4G059EB04 , 4G059GA01 , 4G059GA04 , 4G059GA12 , 4G069AA02 , 4G069AA08 , 4G069BA04A , 4G069BA04B , 4G069BA13A , 4G069BA14A , 4G069BA14B , 4G069BA17 , 4G069BA22A , 4G069BA48A , 4G069BB02C , 4G069BB04A , 4G069BB04B , 4G069BC16A , 4G069BC16C , 4G069BC50C , 4G069BC55A , 4G069BC55B , 4G069BC55C , 4G069BC66A , 4G069BC66B , 4G069BC66C , 4G069BC68A , 4G069BC68B , 4G069BC68C , 4G069CA01 , 4G069CA10 , 4G069CA11 , 4G069CA17 , 4G069EA07 , 4G069EA11 , 4G069EC27 , 4G069ED02 , 4G069FA01 , 4G069FA03 , 4G069FA04 , 4G069FB02 , 4G069FB29 , 4G069FB30 , 4G069FB44 , 4G069FC02 , 4G069FC07 , 4G069FC08 , 4K029AA02 , 4K029AA04 , 4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA48 , 4K029BD00 , 4K029CA06 , 4K029DC03 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 4K029FA07 , 4K029GA01

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