特許

J-GLOBAL ID：200903020121393219

半導体結晶中の深い準位欠陥の評価方法

発明者： 星 亮二 ,  北川原 豊 ,  竹中 卓夫
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 舘野 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-200233
公開番号（公開出願番号）：特開平6-018417
出願日： 1992年07月03日
公開日（公表日）： 1994年01月25日
要約：

【要約】【目的】 半導体結晶のPLスペクトルにおけるD1-Line 等のDeep-Level発光を与える酸素析出物に基づく深い準位欠陥(Deep-Level欠陥)を評価し、ひいてはゲッタリング能力を評価し得る評価方法を提供する。【構成】 半導体単結晶におけるDeep-Level起因のフォトルミネッセンス強度(Deep-Level PL 強度)Id とバンド端PL強度Ib を求め、相対的Deep-Level濃度を示すId /Ib x (但し、xは0.5〜1.0の値)を求め、あるいはさらに単位体積当りの酸素析出物個数(BMD)を求め、酸素析出物1個当りの相対的Deep-Level濃度Id /(Ib x ・BMD)を求め、深い準位欠陥の評価を行う。

請求項（抜粋）：

半導体単結晶におけるDeep-Level起因のフォトルミネッセンス強度(Deep-Level PL 強度)Id とバンド端PL強度Ib を求め、相対的Deep-Level濃度を示すId /Ib x (但し、xは0.5〜1.0の値)を求めて深い準位欠陥の評価を行うことを特徴とする半導体結晶中の深い準位欠陥の評価方法。

IPC (3件)：

G01N 21/64 ,  H01L 21/66 ,  G01N 21/00