特許
J-GLOBAL ID：200903020121836668
光電変換装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-198451
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016272
出願日： 2000年06月30日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：
【要約】【課題】 結晶半導体粒子を用いた光電変換装置は、特性が低く高コストになるという問題があった。【解決手段】 基板上に第一導電形の粒状結晶半導体を多数配置し、この粒状結晶半導体上に第二導電形の半導体層を形成してpn接合部を形成し、この第二導電形の半導体層と前記基板との間に絶縁体を介在させた光電変換装置において、上記絶縁体として半導体粒子との重量関係が、V1×ρ1≧V2×ρ2(V1:粒状結晶半導体1個の体積、V2:粒状結晶半導体1個が絶縁体に埋もれる体積、ρ1:粒状結晶半導体の比重、ρ2:絶縁体の比重)となる絶縁体材料を用いることによって、絶縁体焼成時の半導体粒子の浮力を押さえ、半導体粒子に荷重を与えなくても基板に接合できる。
請求項（抜粋）：
基板上に第一導電形の粒状結晶半導体を多数配置し、この粒状結晶半導体上に第二導電形の半導体層を形成してpn接合部を形成し、この第二導電形の半導体層と前記基板との間に絶縁体を介在させた光電変換装置において、前記絶縁体として前記粒状結晶半導体との重量関係が、V1×ρ1≧V2×ρ2(V1:粒状結晶半導体1個の体積、V2:粒状結晶半導体1個が絶縁体に埋もれる体積、ρ1:粒状結晶半導体の比重、ρ2:絶縁体の比重)となる絶縁体を形成したことを特徴とする光電変換装置。
Fターム (10件)：
5F051AA02
, 5F051AA03
, 5F051AA05
, 5F051DA01
, 5F051DA03
, 5F051DA20
, 5F051FA06
, 5F051FA13
, 5F051GA02
, 5F051GA03
