特許
J-GLOBAL ID：200903020122086670
バイアス回路
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-277974
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104657
出願日： 1992年09月21日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：
【要約】【目的】 トランジスタの最高接合温度にかかわらず、高精度な温度補償を行うバイアス回路を提供する。【構成】 第1、第2の出力トランジスタQ1 、Q2 のベースに、夫々第2のトランジスタQ3'のベースと第5のトランジスタQ5 のコレクタ、第4のトランジスタQ4'のベースと第3のトランジスタQ4 のコレクタを接続する。第1のトランジスタQ3 、第3のトランジスタQ3 、第5のトランジスタQ5 を直列に接続する。第1、第2の出力トランジスタQ1 、Q2 のエミッタ抵抗ra 、rb の接続点と第2、第4のトランジスタQ3'、Q4'のエミッタ抵抗ra 、rb の接続点とを接続する。第1、第2のトランジスタQ3 、Q3'、第3、第4のトランジスタQ4 、Q4'は、夫々熱的に密に結合され、第5のトランジスタQ5 は第1、第2の出力トランジスタQ1 、Q2 と同一ヒートシンクに取付けられている。
請求項（抜粋）：
第1の出力トランジスタ(Q1 )と第2の出力トランジスタ(Q2 )のエミッタ同志がそれぞれ第1、第2のエミッタ抵抗(ra 、rb )を介して接続され、この第1、第2の出力トランジスタ(Q1 、Q2 )のベースに駆動信号が印加されて上記第1、第2のエミッタ抵抗(ra 、rb )の接続点から出力が取り出されるプッシュプル増幅器において、同一特性を有する1対の第1、第2のトランジスタ(Q3 、Q3')からなる第1のツイントランジスタ(1)と、同一特性を有する1対の第3、第4のトランジスタ(Q4 、Q4')からなる第2のツイントランジスタ(2)とが、第1、第2の出力トランジスタ(Q1 、Q2 )が配置されているヒートシンクと熱結合させないように配置されており、第1のツイントランジスタ(1)における第2のトランジスタ(Q3')と第2のツイントランジスタ(2)における第4のトランジスタ(Q4')のエミッタ同志がそれぞれ第3、第4のエミッタ抵抗(Ra 、Rb )を介して接続され、この接続点が上記第1、第2のエミッタ抵抗(ra 、rb )の接続点と接続され、第5のトランジスタ(Q5 )が、第1、第2の出力トランジスタ(Q1 、Q2 )が配置されているヒートシンク上に配置されて、第1の出力トランジスタ(Q1 )に接続されており、第1、第2の出力トランジスタ(Q1 、Q2 )の熱的変化に比例した熱的変化を第1、第2のツイントランジスタ(1、2)により検出して得られたバイアス電圧と、ヒートシンクの熱的変化を第5のトランジスタ(Q5 )により検出して得られたバイアス電圧とによって、第1、第2の出力トランジスタ(Q1 、Q2)のバイアス温度補償を行うことを特徴とするバイアス回路。
IPC (3件)：
H03F 1/30
, H03F 1/52
, H03F 3/30
