特許

J-GLOBAL ID：200903020127056168

半導体装置およびその製造方法

発明者： 佐藤 睦 ,  細田 恵三 ,  村木 雄介 ,  前川 薫
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-222582
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053249
出願日： 1999年08月05日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 キャパシタのストレージ電極とこの下の絶縁膜との密着性を向上させ、製造歩留りを向上させる。【解決手段】 基板上の層間絶縁膜106,109の上に金属酸化物からなる誘電体膜121を積層した後に、プラグコンタクトを開けてポリシリコン110を埋め込み、プラグ上端に金属窒化物からなるバリア層110aを挿んで蓄積電極111を形成する。金属材料からなる蓄積電極111は層間絶縁膜109とは直結せず、金属酸化物からなる誘電体膜121と接着するので密着性を良くし、層間絶縁膜109も誘電体膜121に密着するので、間接的に蓄積電極111の層間絶縁膜109との密着性を改善する結果となる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された絶縁材料からなる層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を通して形成された導電性を有する材料からなるコンタクトと、このコンタクトに接続して前記層間絶縁膜上に形成された金属材料からなる第1の電極と、この第1の電極上に形成された絶縁性を有する金属酸化物からなる容量絶縁膜と、この容量絶縁膜により絶縁分離されて前記第1の電極表面上に形成された第2の電極と、前記層間絶縁膜と前記第1の電極の間に形成された絶縁性を有する金属酸化物からなる誘電体薄膜とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/10 451

FI (3件)：

H01L 27/10 621 B ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651

Fターム (17件)：

5F083AD22 ,  5F083AD43 ,  5F083AD48 ,  5F083AD49 ,  5F083AD56 ,  5F083GA30 ,  5F083JA06 ,  5F083JA14 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA19 ,  5F083PR33