特許
J-GLOBAL ID：200903020128429405
半導体素子の電荷蓄積部の誘電体絶縁膜の形成方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-110109
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326086
出願日： 1993年05月12日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：
【要約】【目的】 炉内での自然酸化膜厚が均一で、しかも自然酸化膜厚を制御できる半導体素子の電荷蓄積部の誘電体絶縁膜の形成方法を提供する。【構成】 半導体素子の電荷蓄積部の誘電体絶縁膜の形成方法において、下部電極11を形成する工程と、減圧CVD装置にてウエハをローディングし、その後、炉内に酸素雰囲気中で放置するとともに、放置温度と放置時間を制御し、所定膜厚の半導体素子の電荷蓄積部の下部SiO2 膜12を形成する工程とを施すようにしたものである。
請求項（抜粋）：
半導体素子の電荷蓄積部の誘電体絶縁膜の形成方法において、(a)下部電極を形成する工程と、(b)減圧CVD装置にてウエハをローディングし、その後、炉内に酸素雰囲気中で放置するとともに、放置温度と放置時間を制御し、所定膜厚の半導体素子の電荷蓄積部の下部酸化膜を形成する工程とを施すことを特徴とする半導体素子の電荷蓄積部の誘電体絶縁膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316
, H01L 27/04
, H01L 27/108
