半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-003518
公開番号（公開出願番号）：特開平8-195414
出願日： 1995年01月12日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：

【要約】【目的】半導体素子と回路配線基板とのバンプ接続部分に発生する応力歪みを低減し、信頼性寿命を向上させた半導体装置を提供する。【構成】回路配線基板と、この基板上にバンプ電極により実装された半導体素子とを具備し、前記基板と半導体素子との間隙及び半導体素子の周囲に、無機充填剤を含有する樹脂が封止された半導体装置である。前記樹脂は、半導体素子の最外周のバンプ電極で囲まれている領域に配置された第1の樹脂と、前記最外周のバンプ電極で囲まれていない領域に配置された第2の樹脂とから構成され、前記第1の無機充填剤の含有量、最大粒径及び平均粒径の少なくとも1つは、第2の樹脂における値より小さいことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

回路配線基板と、この基板上にバンプ電極により実装された半導体素子とを具備し、前記基板と半導体素子との間隙および半導体素子の周囲に、無機充填剤を含有する樹脂が封止された半導体装置であって、前記樹脂は、前記半導体素子の最外周のバンプ電極で囲まれている領域に配置された第1の樹脂と、前記最外周のバンプ電極で囲まれていない領域に配置された第2の樹脂とから構成され、前記第1および第2の樹脂は、無機充填剤の含有量、最大粒径および平均粒径の少なくとも1つが異なることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 , H01L 23/08

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-125474 出願人：カシオ計算機株式会社
特開平4-249330
半導体封止用エポキシ樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-161649 出願人：東燃化学株式会社

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